امکان سنجی پتانسیل آلایش (دوپینگ) سیلیکون در ستون حرارتی راکتور تحقیقاتی تهران

تولید نیمه هادی هایی نظیر سیلیکون آلاییده شده توسط فسفر در تولید قطعات الکترونیک قدرت و صنایع مختلف نظیر خودروسازی و نیروگاه های خورشیدی کاربردهای بسیار زیادی دارد. فرآیند آلایش که اصطلاحا دوپینگ سیلیکون نامیده می شود، با هر یک از روش های شیمیایی و هسته ای قابل انجام است. از آن جایی که یکنواختی ناخالصی تزریق شده در روش شیمیایی مناسب نیست، روش های ناخالص سازی سیلیکون به روش تابش دهی نوترونی در دنیا به شدت دنبال می شود. در این کار، پتانسیل ستون حرارتی راکتور تحقیقاتی تهران برای انجام آلایش سیلیکون با استفاده از کد شبیه سازی MCNPX بررسی شده است. نتایج حاصل از این کار نشان می دهد شار نوترون های حرارتی و نسبت شار نوترون های حرارتی به نوترون های سریع در مکان بهینه به ترتیب n/s.cm۲ ۱۰۱۲×۲/۱ و ۴۴۱ می باشد که نشان می دهد ستون حرارتی راکتور تهران می تواند مکان مناسبی برای آلایش سیلیکون باشد.

Keywords:

Silicon doping , Tehran research reactor , Thermal column , MCNPX code. , آلایش سیلیکون , راکتور تحقیقاتی تهران , ستون حرارتی , کد MCNPX.