احمد رمضانی مقدم آرانی - University of Kashan
سید احسان روزمه - University of Kashan

تغییرات بزرگ امپدانس الکتریکی رساناهای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی،  امپدانس مغناطیسی بزرگ (GMI)  و وابستگی آن   به جهت میدان مغناطیسی، اثر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی(AGMI) نامیده می شود.  میزان حساسیت به مقدار و جهت میدان مغناطیسی اعمالی و همچنین میزان خطی بودن GMI از جمله پارامترهای اساسی در زمینه استفاده از کمیت مذکور در توسعه ی حسگرهای مغناطیسی هستند.  استفاده از شرایط بازپخت مناسب ضمن کاهش تنش­های داخلی ضمن ساخت، ایجاد نظم بلورین، و القای ناهمسانگردی مغناطیسی، می­تواند بهینه پاسخ GMI را به سادگی قابل کنترل کند. در این پژوهش  اثر مدت زمان تابش دهی با پرتوهای گامای حاصل از دو چشمه Co۶۰ و Cs۱۳۷ بر  نامتقارنی امپدانس مغناطیسی آلیاژ آمورف Co۶۸.۱۵Fe۴.۳۵Si۱۲.۵B۱۵  مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه زمان بهبود امپدانس مغناطیسی برای چشمه ی Co۶۰  به مدت ۳۰ ساعت و چشمه ی Cs۱۳۷  به مدت ۲۴ ساعت بدست آمد. نقش پراش پرتوx حاصل از نمونه نشان دهنده خروج نمونه ها از حالت آمورف و تشکیل بلورک ها است. اثرات  ناشی از پرتوهای چشمه  Cs۱۳۷ نمونه را از نظر مغناطیسی نرمتر کرده و پاسخ نمونه را به میدان های مغناطیسی حول میدان ناهمسانگردی بویژه در نمونه بازپختی در ۲۴ ساعت افزایش قابل ملاحظه ای داده که در نتیجه این نمونه را نسبت به دیگر نمونه ها برای کاربرد حسگری مناسب تر گردانیده است.  

Magneto impedance, Annealing, Gamma ray, Amorphous alloys, Magnetic sensors, : امپدانس مغناطیسی, بازپخت, پرتو گاما, آلیاژ آمورف, حسگرهای مغناطیسی