عالمه اسدپور ارزفونی - دانشگاه صنعتی شاهرود
مرتضی ایزدی فرد - دانشگاه صنعتی شاهرود
محمد ابراهیم قاضی - دانشگاه صنعتی شاهرود
فرزانه عرب پور - دانشگاه تربیت مدرس

لایه­های نازک پروسکایتی  CH۳NH۳SnICl۲ (MASnICl۲)  و  CH(NH۲)۲SnICl۲ (FASnICl۲)  به روش پوشش­دهی­چرخشی­تک مرحله­ای بر زیر لایه­های شیشه­ای نهشته شدند و ویژگی­های ساختاری ، نوری و الکتریکی آنها بررسی گردید. مشخصه یابی ساختاری این لایه­ها نشان داد که همه آنها دارای ساختار چارگوشی پروسکایت (فاز (α هستند و با تغییر کاتیون­های آلی CH(NH۲)۲I ((FAI وCH۳NH۳I  (MAI)کیفیت بلورینگی و ریخت سطح نمونه­ها به طور محسوسی تغییر می­کنند. اثر این تغییرات بر ویژگی­های الکتریکی و نوری لایه­ها نیز دیده شد. لایه­های پروسکایتی تهیه شده دارای ضریب جذب بالایی (از مرتبه cm-۱۱۰۵) در ناحیه مرئی بودند. گاف انرژی لایه­ها محاسبه شده براساس رابطه تائوک برای لایه FASnICl۲ برابر با eV ۴۸/۱ و برای لایه  MASnICl۲ برابر باeV  ۵۴/۱ است. در طیف نورتابی (PL) هر دو لایه پروسکایتی در دمای اتاق یک قله به نسبت شدید نزدیک گاف انرژی لایه­ها دیده شد که شدت آن در لایه FASnICl۲ به طور قابل توجهی بیشتر از لایه MASnICl۲ بود. نتایج نشان داد که لایه پروسکایتی FASnICl۲ سنتز شده دارای ساختار بلورین بهتر، مقاومت الکتریکی کمتر، حساسیت و پاسخ نوری مناسب­تر در مقایسه با لایه MASnICl۲ است و می­تواند گزینه­ مناسبی برای استفاده به عنوان لایه جاذب در سلول­های خورشیدی باشد.      

Perovskite absorber layer, One-Step Spin Coating, Structure Properties, Optical Properties, Optical Response, CH۳NH۳SnIC۲l, CH(NH۲)۲SnICl۲., لایه های جاذب پروسکایتی؛ روش پوشش دهی چرخشی تک مرحله ای؛ ویژگی های ساختاری؛ ویژگی های نوری؛ پاسخ نوری؛ CH۳NH۳SnICl۲؛ CH(NH۲)۲SnICl۲.