زهرا خورشیدی میانایی - گروه فیزیک دانشگاه مازندران بابلسر
علی بهاری
رضا قلی پور
طیبه تقی پورلمراسکی - گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری

دراین کار پژوهشی درپی یافتن دی الکتریکی با ثابت دی الکتریک و دمای بلوری بالا برای گیت حافظه های دائمی NVM آینده هستیم به روش سل - ژل نانوذره های اکسید لانتان تزریق شده با روی را سنتز کردیم برای مطالعه ویژگیهای ساختار ماده ی به دست آمده از تکنیک پراش اشعه ایکس XRD استفاده کردیم برای بدست آوردن اندازه ی ذرات از تکنیک X-powder بهره گرفتیم همچنین برای بررسی خواص سطح از میکروسکوپ های نیروی اتمی AFM و الکترون روبشی SEM استفاده کردیم نتایج بدست آمده نشان داده اند که افزودن روی به اکسیدلانتان ساختار آن را به شدت آمورف می کند و از آنجا که اکسید روی نیز دی الکتریک خوبی به شمار می آید خاصیت دی الکتریکی اکسید لانتان را نیز تقویت می کندو باعث می شود دمای بلوری آن بالا رود.

نانوذره، اکسید لانتانیم، روی، سل - ژل، و حافظه دائمی