آزاده منتظری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج گروه فیزیک
سیدمجید برقعی

دراین تحقیق لایه های نازک مولیبدنیم با ضخامتهای متفاوت برروی بستری از سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم لایه نشانی شد به منظور بررسی خصوصیات سطحی لایه های نازک سه نمونه با ضخامت های 30، 50 و 100 ننومتر برروی سطح پولیش خورده ی سیلیکون لایه نشانی شدند پس ازآن یک نمونه نیز با ضخامت 100 نانومتر برروی سطح دیگر سیلیکون که زیربود لایه نشانی شد نتایج آنالیز پراش پرتوایکس XRD نشان داد که میزان ناهمواری زیرلایه تاثیر چندانی برروی بلورینگی لایه نازک مولیبدنیمندارد نتایج حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی AFM نیز حاکی از افزایش ناهمواری سطح با افزایش ضخامت بود ولی لایه نازک مولیبدنیم لایه نشانی شده برروی سطح زبر درمقایسه با نمونه ی هم ضخامت خود که برروی سطح پولیش خورده لایه نشانی شده بود ناهمواری سطحی کمتری داشته و درکل کمترین ناهمواری را از خود نشانداد.

مولیبدنیم، سیلیکون، کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم