یافته های نوین در مشخصات و اثرات کانال کوچک ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوتیوب کربن دوگیتی

در این مقاله، ابتدا به بررسی تاثیر آرایشهای مختلف گیت بر اثرات کانال کوچک ترانزیستور اثرمیدانی نانوتیوب کربن با سورس ودرین آلاییده، با حل خودسازگار معادله سه بعدی پواسون و معادله شرودینگر با شرایط مرزی باز در چارچوب تابع گرین ناترازمند، پرداخته شده است. نتایج نشان می دهند که ساختار دو گیتی دارای نوسانات زیرآستانه شبه ایدئال و کاهش سد القایی درین قابل قبولی، حتی برای اکسید گیت نسبتا ضخیم (۵ نانومتر) است. سپس مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن دوگیتی (DG-CNTFET) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که افزایش قطر نانوتیوب و چگالی نانوتیوبها در DG-CNTFET جریان حالت روشن را افزایش می دهد. همچنین جریان حالت خاموش DG-CNTFET با افزایش ولتاژ درین افزایش می یابد. به علاوه در مورد ولتاژهای گیت منفی، در ولتاژ درین زیاد نیاز به ولتاژ گیت منفی بزرگتری داریم تا افزایش جریان درین ناشی از تونل زنی باند به باند، مشهود باشد و در ولتاژ درین کم حالتهای تشدیدی ظاهر خواهد شد.