تحلیل ارتعاشات غیرخطی آزاد و اجباری نانولوله کربنی حامل نانوسیال مغناطیسی تحت میدان مغناطیسی طولی با شرایط مرزی مختلف

در این مقاله ارتعاشات غیرخطی نانو لوله های کربنی حامل سیال بررسی شده است. سیال مغناطیسی بوده و نانولوله در یک میدان مغناطیسی قرار دارد. معادلات ارتعاشی با توجه به تئوری تیر اولر- برنولی استخراج شده اند. برای در نظر گرفتن اثرات اندازه از تئوری غیر موضعی ارینگن استفاده شده است. با فرض میدان کرنش غیر خطی معادلات ارتعاشی غیر خطی حاکم استخراج می شوند. سپس با استفاده از روش مقیاس چند گانه معادلات حاکم حل می شوند. در پایان اثر سیال مغناطیسی و شدت میدان مغناطیسی بر سرعت بحرانی سیال پاسخ فرکانسی و پاسخ نیروی ی بررسی می شوند. از نتایج می توان فهمید که شدت میدان مغناطیسی طولی باعث افزایش فرکانس های طبیعی سیستم شده و سرعت بحرانی سیال را افزایش می دهد و باعث به تعویق افتادن پدیده دیورژانس و فلاتر می گردد در حالیکه اثر سیال مغناطیسی رفتاری عکس این حالت را از خود نشان می دهد و تئوری غیرموضعی رفتار نانوتیر یکسرگیردار را بخوبی پیش بینی نمی کند.

Keywords:

ارتعاشات غیرخطی , فونداسیون الاستیک , تئوری تیر اولر- برنولی , نانولوله کربنی , جریان سیال , سیال و میدان مغناطیسی