بررسی رفتار الکترونیکی یک مدار دیودی در معرض تابش برای آشکارسازی پرتوهای گاما

پرتوهای یون ساز می توانند آثار دائمی یا موقت بر عملکرد مدارهای الکترونیکی داشته باشند. آثار موقت که در حین تابش دهی ظاهر شوند، می توان به عنوان نشانه ای از وجود پرتو یون ساز در محیط دانست که برای آشکارسازی پرتو یون ساز مفید هستند. در این مطالعه، اثر فوتون های گاما بر جریان معکوس دیود در حالت بایاس معکوس و مقایسه آن با همان جریان در حالت بدون تابش مورد بررسی قرار گرفت تا از این طریق، امکان به کارگیری پیوند دیودی برای مصارف آشکارسازی بررسی شود. در مدار دیودی از یک دیود N۴۰۰۱به صورت سری با یک مقاومت بزرگ استفاده شده است. برای تامین پتانسیل خارجی مدار دیودی از یک منبع تغذیه ولتاژ مستقیم گردید. برای اندازه گیری جریان اشباع معکوس و تغییرات جریان ناشی از تابش پرتو گاما، ولتاژ در دو سر مقاومت اندازه گیری شد. نتایج نشان می دهند که یک مدار ساده دیودی تحت تاثیر تابش گاما دارای اختلاف معناداری در جریان اشباع معکوس خود، نسبت به حالت بدون تابش است؛ بنابراین، می توان تغییرات مشاهده شده در جریان اشباع معکوس را در گام ساده اول، به عنوان علامت وجود پرتو گاما در محیط در نظر گرفت.

Keywords:

Diode Circuit , Radiation Detector , Gamma Irradiation , Cobalt ۶۰ , Cesium ۱۳۷. , مدار دیودی , پرتودهی گاما , کبالت ۶۰ , سزیم ۱۳۷ , آشکارسازی پرتو یون ساز