مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم

Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 260

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAME-31-1_006

تاریخ نمایه سازی: 27 اردیبهشت 1401

Abstract:

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(۱۰۰) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.

Keywords:

ultra thin film , nano structures , gate dielectric and metallic oxides. , فیلم فرا نازک , نانوساختارها , گیت دی الکتریک و اکسیدهای فلزی

Authors

علی بهاری

Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar

ماندانا رودباری شهمیری

Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar

نورالدین - میرنیا

Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar