مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 260
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAME-31-1_006
تاریخ نمایه سازی: 27 اردیبهشت 1401
Abstract:
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(۱۰۰) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.
Keywords:
ultra thin film , nano structures , gate dielectric and metallic oxides. , فیلم فرا نازک , نانوساختارها , گیت دی الکتریک و اکسیدهای فلزی
Authors
علی بهاری
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
ماندانا رودباری شهمیری
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
نورالدین - میرنیا
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar