علی بهاری - Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
ماندانا رودباری شهمیری - Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
نورالدین - میرنیا - Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(۱۰۰) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.

ultra thin film, nano structures, gate dielectric and metallic oxides., فیلم فرا نازک, نانوساختارها, گیت دی الکتریک و اکسیدهای فلزی