پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روش های افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آی سی های CMOS

با توجه به اهمیت زیادی که سیلیکون در سطح فن آوری دارد و ۲۵ درصد سطح کره زمین را سیلیکان تشکیل می دهد، در صنعت مخصوصا در صنعت آی سی های CMOS به وفور از این عنصر استفاده می گردد و در این مقاله سعی بر این است در محیط های آزمایشگاهی و تجربی، دماها و محیط هایی که در آن این عنصر واکنش نشان می دهد را مورد بررسی قرار دهیم. همچنین نرخ رشد اکسید را در این محیط ها با توجه به تحقیقات انجام شده و درپی آن استفاده از روش های جدید برای رشد اکسید در اکسیداسیون سیلیکان و تغییر در نرخ سرعت تشکیل اکسید و افزایش مقاومت آن مورد بحث قرار دهیم. در این زمینه از دهه ۶۰ میلادی تا به امروز با استفاده از روابط تجربی و همچنین اعداد و ارقام آزمایشگاهی بدست آمده، چند مقاله ی مهم از بدو پیدایش اکسیداسیون تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نرخ رشد اکسید و افزایش مقاومت استحکامی آنها مد نظر می باشد. در ضمن بیشتر کارههای انجام شده بر روی منحنی ها قابل رویت و استناد بوده که در نهایت مورد بررسی قرار خواهند گرفت

Keywords:

اکسیداسیون , آلیاژ , فوم پلیمری , کربید , مقاومت اکسیداسیون