ساخت ممریستورهای متشکل از مواد تمام دو بعدی

کی از مشکلات اصلی حافظه های جانبی پاک شدن تمام اطلاعات پس از قطع جریان است. برای حل این مشکل تئوری حفظ حافظه مطرح شد. امروزه دردنیای تکنولوژی این قطعه به اسم ممریستور شهرت دارد. برای دستیابی به خاصیت این قطعه ضروری است که ابعاد قطعه کمتر از میکرومتر باشد بدین منظور ساختممریستورهایی از مواد تماما دوبعدی به دلیل خواص آنها توجه های زیادی را در سرتاسر دنیا به خود جلب کرده است. از مزیت های استفاده از ممرسیتور در مدارهامیتوان به استفاده از اجزای کمتر، میزان مصرف انرژی کمتر و افزایش سرعت پردازش اشاره کرد. در چند سال گذشته کاربرد ممرستورها در محاسبات نورومورفیکنیز بسیار مورد استقبال واقع شده است. برخلاف ترانزیستورها، ممریستور قطعه ای با دو ترمینال است که میتوان حافظه آن را با ورودی جریان یا ولتاژ کنترل کرد. دراین مقاله، ممریستوری متشکل از ساختار تماما دوبعدی گرافن/ MoSe۲ توسط روش رسوب دهی با بخار شیمایی در ابعاد سانتی متر ساخته شد. سپس برای ارزیابیو پایداری نمونه، نمودار جریان-ولتاژ آن مورد اندازه گیری و بررسی قرار گرفت.نتایج نشان داد که با مهندسی سطح بین دو ماده میتوان علاوه بر دستیابی به خاصیتممریستوری و بهبود آن، به خاصیت مقاومت منفی هم دست پیدا کرد.