ساخت لایه های نازک تک بلور نیکل بر روی سیلیکون به روش لایه نشانی لیزر پالسی

در این تحقیق به بررسی اثر دمای زیر لایه بر رشد بلوری و خواص ساختاری لایه های نازک نیکل پرداخته شده است. بدین منظورنمونه ها با زیر لایه ی سیلیکونی (۱۰۰) به روش لایه نشانی لیزر پالسی در دماهای مختلف لایه نشانی ساخته شده اند. نتایج حاصل از تحلیل پراش پرتو ایکس نمونه هانشان دهنده آن است که با افزایش دمای زیر لایه فاز بلوری نیکل-سیلیکون تشکیل شده است. از تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی میتوان دریافت که لایه های نازکنیکل در دمای ۷۰۰درجه سلسیوس دارای ساختار بلوری بوده و در جهت صفحات سیلیکونی رشد کرده است که این مطلب با نتایج حاصل از تحلیل پراش پرتو ایکسدر توافق است.