مهاجرت یون در سلولهای خورشیدی پروسکایتی با در نظر گرفتن تغییرات نرخ اسکن بر شاخص پسماند
Publish place: 10th National Vacuum Conference of Iran
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 367
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCV10_022
تاریخ نمایه سازی: 5 خرداد 1401
Abstract:
مهاجرت یونی به عنوان علت احتمالی پسماند جریان- ولتاژ فتوولتاییک در سلولهای خورشیدی پروسکایتی پیشنهاد شده است. در این جا، شبیه سازی دو ساختارقطعه کاتد پایین و کاتد بالا با نرخ اسکن متفاوت با استفاده از یک مدل رانش- انتشار وابسته به زمان یک بعدی انجام شده است. نتایج نشان میدهد که برای مشاهدهپسماند هم مهاجرت یون و هم بازترکیب در اتصالات مورد نیاز است که بیان میکند با تغییر نرخ اسکن از مقدار ۰/۱Vs-۱ به ۰/۰۱Vs-۱، حرکت یون به درستی اتفاقنمی افتد و به دلیل تغییر ولتاژ نسبت به زمان، پدیده گذرای مهاجرت یونی صورت نمی گیرد و در نتیجه شاخص پسماند کاهش می یابد.
Authors
بهنام عسگری
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدرضا فتح الهی
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدحسین زارع
دانشکده مکانیک، دانشگاه صنعتی قم، قم
محسن عامری
مرکز تحقیقات و کاربرد انرژی خورشیدی، دانشگاه فنی خاورمیانه، آنکارا، ترکیه