بهنام عسگری - دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدرضا فتح الهی - دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
محمدحسین زارع - دانشکده مکانیک، دانشگاه صنعتی قم، قم
محسن عامری - مرکز تحقیقات و کاربرد انرژی خورشیدی، دانشگاه فنی خاورمیانه، آنکارا، ترکیه

مهاجرت یونی به عنوان علت احتمالی پسماند جریان- ولتاژ فتوولتاییک در سلولهای خورشیدی پروسکایتی پیشنهاد شده است. در این جا، شبیه سازی دو ساختارقطعه کاتد پایین و کاتد بالا با نرخ اسکن متفاوت با استفاده از یک مدل رانش- انتشار وابسته به زمان یک بعدی انجام شده است. نتایج نشان میدهد که برای مشاهدهپسماند هم مهاجرت یون و هم بازترکیب در اتصالات مورد نیاز است که بیان میکند با تغییر نرخ اسکن از مقدار ۰/۱Vs-۱ به ۰/۰۱Vs-۱، حرکت یون به درستی اتفاقنمی افتد و به دلیل تغییر ولتاژ نسبت به زمان، پدیده گذرای مهاجرت یونی صورت نمی گیرد و در نتیجه شاخص پسماند کاهش می یابد.