مهدی مزیدآبادی فراهانی - Department of Electrical Engineering, Saveh Branch, Islamic Azad University
جلیل مظلوم - Shahid Sattari Aeronautical University of Science and Technology
پیمان نایبی - Department of Physic, Saveh Branch, Islamic Azad University

رادیو شناختی یک سیستم ارتباطی بیسیم فوق العاده پهن باند است که قابلیت استفاده بهینه از طیف فرکانسی موجود را دارد. برای تحقق چنین سیستمی نیاز به یک تقویت­کننده کم­نویز با پهنای باند بسیار پهن (از MHz ۵۰ تا GHz ۱۰) می­باشد. در این کار یک تقویت­ کننده کم­نویز کم­مصرف بسیار پهن­باند طراحی شده که دارای ساختار شبه تفاضلی و سلف فعال است. بکارگیری مدارهای فعال مبتنی بر فناوری  CMOSکه رفتار سلفی از خود نشان می­دهند به عنوان سلف فعال، علاوه بر افزایش پهنای باند تقویت­کننده­ و کاهش سطح تراشه، دارای بهره ذاتی بوده و به علت داشتن ضریب کیفیت بالا، قابلیت تنظیم اندوکتانس و فرکانس را نیز دارا می­باشد. در این مقاله با اتصال ضربدری دو سلف فعال متشکل از توپولوژی گیت مشترک، یک تقویت­­کننده کم­نویز فوق پهن­باند برای این سیستم، طراحی شده است. این ساختار علاوه بر افزایش پهنای باند فرکانسی، به علت شرایط شبه تفاضلی، با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستورها، علاوه بر کاهش توان مصرفی، سبب کاهش عدد نویز مدار می­شود. نتایج شبیه­سازی با تکنولوژی µmCMOS۱۸/۰ نشان می­دهد که در گستره فرکانسی از MHz۵۰ تا GHz۱۰، این ساختار دارای تطبیق ورودی در کل طیف فرکانسی، و بهتر از dB۱۰-، تغییرات بهره ولتاژ از dB ۱۹-۵/۱۶، تغییرات عدد نویز از dB۷-۳ و نقطه تقاطع مرتبه سوم  dBm۷/۶- را با توان مصرفی  mW۲۹/۹ ارائه می­دهد که برای تحقق سیستم رادیو شناختی نظامی کاملا قابل قبول است.

Cognitive radio, Active inductor, Low noise amplifier (LNA), Low Power, Capacitor Cross Coupled, رادیوشناختی, سلف فعال, تقویت کننده کم نویز پهن باند, کم مصرف, اتصال ضربدری خازنی