کاهش مقاومت سطحی لایه ی نازک ITO باکمک لایه میانی Cu

Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 220

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE22_043

تاریخ نمایه سازی: 15 تیر 1401

Abstract:

دراین پژوهش لایه نازک ITO/Cu/ITO بر روی شیشه به روش اسپاترینگ فرکانس رادیویی لایه نشانی شد. از لایه میانی مس برای کاهش مقاومت سطحی لایه نازک ITO استفاده شد. لایه میانی مس با ضخامت های ۱۰،۵ و۲۰ نانومتر برروی ITO لایه نشانی شد. مقاومت سطحی نمونه ها توسط دستگاه دستگاه پروب چهارنقطه ای و میزان عبور نمونه ها توسط طیف سنجی مرئی فرابنفش اندازه گیری شد. نتایج نشان داد مقاومت و عبور لایه نازک -ITO به ترتیب برابر Ω/sq ۲۴ و ۷۸ درصد در طول موج ۵۵۰ نانومتر است. . با اعمال لایه میانی مس مقاومت سطحی نمونه ها کاهش یافت و نمونه دارای ۲۰ نانومتر لایه میانی مس دارای کمترین میزان مقاومت به مقدار Ω/sq ۹ می باشد.

Keywords:

مس , ایندیوم آلاییده شده به قلع , کندوپاش , لایه نازک

Authors

محمدسینا کاظمیان

دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران

اکبر اسحاقی

دانشیار، دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران

مظاهر رمضانی

استادیار دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران

حسین زابلیان

دکتری ،دانشکده فیزیک،دانشگاه اصفهان،ایران

حسام الدین خاشعی

کارشناس ارشد،دانشکده فیزیک،دانشگاه شهیدبهشتی،تهران،ایران