سمیه نوری منش - گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران
حمزه معیری - گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران
علیرضا حکیمی فرد - گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران

در این مقاله. ویژگی های ساختاری و جذب پنج ساعتار از گاز (SO(۲ بر رویلایه سیلیسن بررسی شده است. محاسبات بر اساس اصول اولیه درچارچوب نظریهتابعی چگالی (DFT) انجام شده است. برای تخمین پتانسیل تبادلی -همبستگیtاز تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) استفاده شده است. محاسبات ویژگی هایساختاری با نرم افزارکوانتوم اسپرسوکه بر پایه روش شبه بتانسیل و بسطتو ابع موج الکترون های ظرفیت بر حسب امواج تخت می باشد، انجام شده است.نتایج جذب (SO(۲ بر روی نانو لایه سیلیسن را با و بدون اثر و اند رو السی درچند ساختار ترکیب (SO(۲ با سیلیسن بررسی کردیم و نتایج نموداری آن را باتقریب GGA در هر دو حالت بالا مقایسه کردیم. جذب (SO(۲ بر روی یکی ازساختارهای نانو لایه سیلیسن از همه بیشتر است و این جذب بر روی طولپیوند S-O زاویه مولکول (SO(۲ اثر گذار است. در همه ی پیکربندی ها که بررسیکردیم و در هر دو حالت با درنظر گرفتن اثر و اندرو الس و بدون اثرو اندروالس طول پیوند si-si و s-o پس از جذب افزhdش می یاید اما زاویهمولکول (SO(۲ با جذب بر لایه سیلیسن کاهش می یابد و همچنین ساختارها باکمترین انرژی جدذب بعنو ان پاید ارترین ساختار شناخته می شود .

نانو سیلیسن، نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری، جذب مولکول (SO(۲، اثر واندروالس