بهبود مشخصه های خطینگی تقویت کننده های توان GaN بر مبنای تزریق سیگنال هارمونیک دوم
عنوان مقاله: بهبود مشخصه های خطینگی تقویت کننده های توان GaN بر مبنای تزریق سیگنال هارمونیک دوم
شناسه ملی مقاله: JR_TJEE-51-4_003
منتشر شده در در سال 1401
شناسه ملی مقاله: JR_TJEE-51-4_003
منتشر شده در در سال 1401
مشخصات نویسندگان مقاله:
فرهاد عباس نژاد - دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
مجید طیرانی - دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
سید ادیب ابریشمی فر - دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
احسان جوهری سلماسی - پژوهشگر، پژوهشکده سامانه های ماهواره ای، پژوهشگاه فضایی ایران، تهران، ایران
خلاصه مقاله:
فرهاد عباس نژاد - دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
مجید طیرانی - دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
سید ادیب ابریشمی فر - دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
احسان جوهری سلماسی - پژوهشگر، پژوهشکده سامانه های ماهواره ای، پژوهشگاه فضایی ایران، تهران، ایران
در این مقاله طرح جدیدی برای بهبود مشخصههای خطینگی تقویت کننده توانهای GaN ارائه شده است. مبنای این طرح تزریق سیگنال هارموینک دوم ساخته شده به ورودی تقویتکننده توان مورد نظر از طریق یک مسیر پیشخورد است. با استفاده از نتایج تئوری و شبیه سازیهای دو-تن، اثر تزریق هارمونیک دوم بر مشخصههای خطینگی تقویت کنندههای توان بررسی شده است. یک مدار خطی ساز فعال سه پورتی با قابلیت تولید سیگنال هارمونیک دوم با دامنه و فاز قابل تنظیم برای پیاده سازی روش مذکور پیشنهاد شده و برای بهبود خطینگی دو تقویت کننده توان ده وات طراحی شده با مشخصههای غیرخطی مختلف مورد ارزیابی قرار گرفته است. همچنین، به عنوان اعتبارسنجی، مدار پیشنهادی ساخته شده و برای خطی سازی یک تقویت کننده توان GaN، مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی و اندازه گیری نشان داد که با تزریق سیگنال هارمونیک دوم تولیدی و تنظیم مناسب دامنه و فاز این سیگنال میتوان علاوه بر بهبود مشخصههای خطینگی شامل اینترمدولاسیون مرتبه سوم (IMD۳)، نسبت توان کانال مجاور (ACPR) و مشخصه AM-PM، نقطه اشباع dB-۱ را نیز افزایش داد.
کلمات کلیدی: تقویت کننده توان, خطی سازی, GaN, اینترمدولاسیون مرتبه سوم, نسبت توان کانال مجاور
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1491422/