باقر ذبیحی - موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران
پیمان علیپرست - پژوهشگاه هوافضا، تهران، ایران
ناصر نصیرزاده - موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس بالا در کلاس F  مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت ۱۵۰ نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت کننده ۲/۵ گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با  dB۱۲/۷۶ است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت­ کننده توان حدود dBm۳۹/۱۹۶ در توان ورودی dBm۳۰ است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود ۴۱/۲۵% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه ۲۵/۹۰۳ میلیمتر در۱۹/۳۴۶ میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg۲/۳۸ و dB/dB۱/۶۶ است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD۳) حدود dBc-۲۰ در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.

تقویت کننده توان بالا فرکانس بالا, مدارهای مجتمع مایکروویو یکپارچه, پروسه گالیم نیتراید