کریم سلطان زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد گروه برق
مجید دهقانی - استادیار دانشگاه آزاد نجف آباد
حسین خلیلیان - دانشگاه صنعتی مالک اشتر

ترانسفورماتورها به میزان وسیعی درمبدلهای نرم سوئیچینگ DC/DC مورد استفاده قرار میگیرند یکی از مهمترین این مبدلها مبدل DC/DC با مدسوییچینگ ولتاژ صفرzero voltage switching (ZVS)) است که افزایش فرکانس کلیدزنی درآنها یک مزیت محسوب میشود زیرا با افزایش فرکانس می توان سایز قسمت های مغناطیسی را کاهش داد که این موضوع ازنظر اقتصادی بسیارپراهمیت می باشد اما با افزایش فرکانس حجم تلفات درهسته های مغناطیسی مرسوم افزایش می یابد که درواقع این موضوع مهمترین محدودیت درافزایش فرکانس کلیدزنی است از دیگر محدودیت های افزایش فرکانس افزایش میزان پارازیت های مغناطیسی می باشد که شامل افزایش اندوکتانس نشتی و افزایش خازن معادل بین سیم پیچی ها می شود این پارازیت ها باعث ایجادولتاژ های ناخواسته و جریان های نشتی درترانسفورماتور های موجوددرساختار مبدل می شود که تلفات را افزایش داده و کاهش راندمان را نتیجه میدهند دراین مقاله کاهش تلفات و پارازیت های مغناطیسی دراثر جایگزین کردن هسته نانو ساختار فاینمت FINEMET با هسته مرسوم فریت درترانسفورماتور موجوددرساختار یک مبدل DC/DC رزونانسی فرکانس بالا 30 کیلوولتی بررسی خواهد شد ترانسفورماتور مذکور با روش حاصلضرب سطح طراحی می شود.

اندوکتانس نشتی - پارازیت مغناطیسی - ترانسفورماتور - مبدل کلیدزنی - هسته مغناطیسی نانوساختار