نگین معنوی زاده - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
فرشید رئیسی
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک و نانوالکترونیک دانشگاه تهران
مهدی پورفتح - انیستیتو میکروالکترونیک دانشگاه صنعتی وین

هدف این مقاله بررسی اثرتغییرات میزانآلایش سورس و درین با عملکرد دیود اثرمیدانی اصلاح شده Modified-FEDاست ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET می باشد بطوریکه الایش سورس و درین آن متفاوت بوده و از هر دو آلایش نوع p,n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است این افزاره قابلیت روشن وخاموش شدن با ولتاژ گیت ها را دارد نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده ازنرم افزار ise-TCAD نشان میدهد که این افزاره با قابلیت ترانزیستوری با اعمال ولتاژ حالت خاموشی جریان بسیار اندکی را عبور میدهد به منظور یافتن میزان بهینه آلایش سورس و درین این افزاره درآلایش های 17 10 و 19 10 و 21 10cm-3 شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراین مقاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان پروفایل چگالی حامل ها نوارهای انرژی و همچنین موبیلیتی حامل ها مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که بهینه مقدار آلایش سورس و درین برای چنین ساختاری 21 10 cm-3 می باشد که درآن نسبت Ion/Ioff افزاره از مرتبه بزرگی 5 10 بوده که مقدار قابل توجهی به شمار می اید

آلایش سورس و درین، اثرات کانال کوتاه، ترانزیستورهای اثرمیدانی MOS، دیود اثرمیدانی FED