A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,308
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_162
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
A novel method to improve linearity of PD SOI MOSFET circuits is presented. There is a transition in the output-conductance of body-contacted PD SOI device associated to the finite body resistance (RB). The transition degrades the device linearity specifications, particularly, HD3 and IP3. A relation for the body resistance is extracted toeliminate the transition. Using device simulation, the transitionfree curve for the operation of a 45 nm PD SOI MOSFET was extracted. A 2.4 GHz low noise amplifier was designed to operate in the transition-free region. Mixed circuit device simulation of LNA showed at least 7 dB enhancement of HD3 and 4 dB improvement of IP3. Simulation results verified the high frequency advantage of transition-free design
Keywords:
Authors
Arash Daghighi
Assistant Professor, Shahrekord University, Shahrekord, Iran
Neda Pourdavoud
Young Researchers Club, Najafabad Islamic Azad University, Isfahan, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :