مهدی اسکندری - کارشناسی ارشد، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت، تهران، ایران
محمد عظیم کرمی - دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم وصنعت، تهران، ایران

در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (­SACM APD­ InGaAs/Si­­) برای آشکار ساز نور در طول موج ۱۵۵۰ نانومتر ارائه گردیده است­. این آشکارساز با ساختا­ر­ی ساده­، از حیث لایه ها تعریف و کمیت های اصلی آشکار سازی آن همانند جریان تاریک­، جریان تابش­، بهره و پاسخ دهی، بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار ساز این است که ولتاژ بایاس آن کمتر از مدل­های موجود در مراجع معرفی شده می باشد و کمیت های آشکار سازی آن نیز، قابل رقابت با آنها می باشد. این ولتاژ بایاس حداقل ۴۱ % از دیگر مراجع تطبیقی در شرایط مشابه ­کمتر است. در شاخص(۰.۹Vbr) ­، جریان تابش­ Aμ ۸.۳ و جریان تاریک  ۴.۹nA حاصل­ گشته است. در ولتاژ بایاس ۲۵ ولت­ جریان تابش Aμ  ۵۱ و جریان تاریک  ۲۱­ نسبت به فوتودیود مشابه افزایش می­یابد. از این آشکار ساز برای کاربری های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می توان بهره برداری نمود.

آشکار ساز, فوتو دیود شکست بهمنی, پاسخ دهی, جریان تابش, جریان تاریک