مهدی بکرانی - استادیار، دانشگاه صنعتی قم، قم، ایران
محمد مهدی تسخیری - استادیار، گروه مخابرات و الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم ، ایران
سیدعلی آسایش - کارشناسی ارشد، دانشگاه صنعتی قم، قم، ایران

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی فراپهن GHz ۳/۱-۱۰/۶ با استفاده از تکنولوژی CMOS ۱۳۰ nm طراحی شده است. در این مدار از تکنیک سورس تبهگنی برای گسترش پهنای باند و ایجاد تطبیق ورودی و از تکنیک استفاده مجدد جریان برای دستیابی به بهره بالا استفاده می شود. همچنین از آنجا که اغلب تکنیک های تطبیق امپدانس خروجی موجب تضعیف بهره یا خط سانی می شود، از تکنیک معکوس کننده با پیک زنی القایی استفاده شده است تا علاوه بر فراهم نمودن تطبیق امپدانس ۵۰ اهمی در خروجی، بهره و خط سانی را نیز بهبود دهد. این تکنیک رفتار هارمونیک سوم را بهبود و بهره را dB ۲/۷ افزایش داده است. مدار پیشنهادی دارای S۱۱ کمتر از S۲۲، dB -۱/۹ کمتر از dB -۱۰، ماکزیمم بهره dB ۱۹/۶، عدد نویز بین ۷/dB ۲-۲، توان مصرفی mw ۲۸ و IIP۳ با مقدار dBm -۳/۵ می باشد. همچنین ابعاد جانشانی طرح برابر µm ۷۰۱/۴ × µm ۹۹۱/۸۴ است. مزایای ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای فراپهن با تکنولوژی یکسان، در بهره بالاتر، عدد نویز کمتر و تطبیق بهتر خروجی می باشد.

تقویت کننده کم نویز, تبهگنی سورس, استفاده مجدد از جریان, پیک زنی القایی, خط سانی