Analysis of Different Hot Carrier Effects on Self-Assembled InAs/GaAs QDIP Dynamic Response Using Circuit Model
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,165
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_520
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
In this paper, based on the dynamic behavior of the self-assembled InAs/GaAs quantum dot (QD) infrared photodetectors (QDIPs), we present a set of rate equations. These rate equations are used to circuit modeling for the dynamic simulation of QDIP. By using the presented circuit model, effects of carrier dynamics on QDIP investigated. Theeffect of relaxation times on the frequency response and transient analysis of the self assembled QDIP, like excited state and wetting layer to ground state are studied. About 100 GHz is the predicted 3-dB cut off frequency for the evaluated InAs/GaAs QDIP.
Keywords:
Authors
Ali Mir
Lorestan University,
Vahid Ahmadi
Tarbiat Modares University
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :