افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,021
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_541
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
به منظور بهبود افزاره های اثر میدانی بر روی عایق SOI)سیلسیم تحت تنشSi0.8Ge0.2بدون تنشStrained Si/ Si0.8Ge0.2 به عنوان جایگزینی برای سیلسیم مورد بررسی قرار گرفته است . به لحاظ قابلیت حرکت بالای الک ترون در سیلسیم تنش یافته کارایی افزاره در حوزهRFبهبود می یابد نتایج حاصل از شبیه سازی در این مقاله حاکی از آن است که فرکانس قطع افزاره سیلسیمی تحت تنش تا حدود % 19 نسبت به ساختار مشابه بدون تنشبهبود می یابد.با این وجود معلوم شده است که افزاره های سیلسیمی تحت تنش/ Si0.8Ge0.2بدون تنش بر روی عایق تک گیتیIoff نسبتا بزرگی دارند . از اینروافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 بدون تنش بر روی عایق دو گیتی مورد بررسی قرار گرفته است. در افزاره دو گیتی با طول کانال برابر با افزاره تکگیتی، به علت افزایش کنترل گیت بر روی کانال، جریان نشتی کاهش یافته است. بعلاوه ه پارامترهایDC و ACافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 ترانزیسستور تک گیتی ونیز ترانزیستور دوگیتی مورد بررسی قرار گرفته شده است و با افزاره های سیلسیم بدون تنش مشابه مقایسه شده است
Keywords:
افزاه سیلیسیم بر روی عایق , ترانزیستور اثر میدانی برر روی عایق دوگیتی , سیلیسیم تحت تنش , فرکانس قطعSiGe
Authors
مرتضی فتحی پور
پردیس فنی دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و
سمیرا امیدبخش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :