مرتضی فتحی پور - پردیس فنی دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و
سمیرا امیدبخش - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

به منظور بهبود افزاره های اثر میدانی بر روی عایق SOI)سیلسیم تحت تنشSi0.8Ge0.2بدون تنشStrained Si/ Si0.8Ge0.2 به عنوان جایگزینی برای سیلسیم مورد بررسی قرار گرفته است . به لحاظ قابلیت حرکت بالای الک ترون در سیلسیم تنش یافته کارایی افزاره در حوزهRFبهبود می یابد نتایج حاصل از شبیه سازی در این مقاله حاکی از آن است که فرکانس قطع افزاره سیلسیمی تحت تنش تا حدود % 19 نسبت به ساختار مشابه بدون تنشبهبود می یابد.با این وجود معلوم شده است که افزاره های سیلسیمی تحت تنش/ Si0.8Ge0.2بدون تنش بر روی عایق تک گیتیIoff نسبتا بزرگی دارند . از اینروافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 بدون تنش بر روی عایق دو گیتی مورد بررسی قرار گرفته است. در افزاره دو گیتی با طول کانال برابر با افزاره تکگیتی، به علت افزایش کنترل گیت بر روی کانال، جریان نشتی کاهش یافته است. بعلاوه ه پارامترهایDC و ACافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 ترانزیسستور تک گیتی ونیز ترانزیستور دوگیتی مورد بررسی قرار گرفته شده است و با افزاره های سیلسیم بدون تنش مشابه مقایسه شده است

افزاه سیلیسیم بر روی عایق، ترانزیستور اثر میدانی برر روی عایق دوگیتی ،سیلیسیم تحت تنش ، فرکانس قطعSiGe