CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

کنترل رشد نانوسیم های اکسید روی دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی

عنوان مقاله: کنترل رشد نانوسیم های اکسید روی دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی
شناسه ملی مقاله: ICEE19_597
منتشر شده در نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:

فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاهی تحقیقاتی لایه هاینازک گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه
ابراهیم اصل سلیمانی
جمشید صباغ زاده
شمس الدین مهاجرزاده

خلاصه مقاله:
دراین مقاله رشد نانوسیم های اکسید روی ZnO) دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی CBD برروی زیرلایه های سیلیکون تحت شرایط مختلف مورد بحث و بررسی قرارگرفته است نتایج نشان داد که تحت شرایط مناسبی از نظر دمایی و غلظت محلول نانوسیم های اکسید روی ZnO) با ساختار شش ضلعی wurtzite کاملا چگال و عمودی باید یکنواخت برروی زیرلایه رشد کرده اند تاثیر غلظت محلول دما و زمان برروی مورفولوژی وابعاد نانوسیم ها بطور سیستماتیک مورد بررسی قرارگرفت مکانیزم رشد متاثر از پارامترهای قابل کنترل برمحلول طی فرایند شیمیایی رشد نانوسیم ها مورد بررسی قرارگرفته است تاثیر پارامتر زمان رشد برروی خواص لومینسانس نانوسیم های اکسید روی که درشرایط بهینه رشد داده شده اند مورد بررسی قرارگرفته اندمطالعه فتولومینسانس نمونه ها وجود نقایص ساختاری را نشان میدهد با این وجود نانوسیم های اکسید روی کهدردمای پایین و به روش بسیار آسان رشد یافته اند از کیفیت اپتیکی بسیار خوبی برخوردار هستند.

کلمات کلیدی:
اکسید روی، نانوسیم ها، رسوب حمام شیمیایی، فتولومینسانس

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/154170/