Design of 0.5V, 450μW CMOS Current Reuse LNA With the Gate Resistance Used for Input Matching and Forward Body Bias Technique
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,301
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_020
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
In this paper, design and simulation results of a fully integrated 5-GHz CMOS LNA is presented. To design this LNA, the parasitic input resistance of a MOSFET is converted to 50Ω by a simple L–C network, hence eliminating the need for source degeneration. As it is analytically shown, this is because the former methods enhance the gain of the LNA by a factor that is inversely proportional to MOSFET’s input resistance. By employing the current reuse and forward body bias technique, the proposed LNA can operate at reduced supply voltage and power consumption. The proposed LNA delivers a power gain (S21) of 12.6 dB with a noise figure of 3.9 dB, while consuming only 450μW dc power with an ultra low supply voltage of 0.5V. The power consumption figure of merit (
Keywords:
Forward body bias , low noise amplifier (LNA) , current reuse , ultra low power , ultra low voltage , parasitic input resistance
Authors
Ehsan Kargaran
Microelectronic Laboratory, Sadjad Institute of Higher Education, Mashhad, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :