طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz

Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,808

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_056

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

Abstract:

در این مقاله، یک تقویت کننده توانDohertyدر فرکانس2/4GHzبا بازده ی توان بالا طراحی و شبیه سازی شده است. برای این منظور از تکنولوژی سی ماس0/18μm و یک منبع ولتاژ 1/8V استفاده شده است. همچنین در بیرون تراشه دو ترانس با نسبت 1:1 برای جداسازی توان بین دو طبق هی این تقویت کننده به کار برده شده اند. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خط انتقال هر دو طبقه ی تقویت کننده توسط اجزای سلفی وخازنی پیاده سازی شد هاند. همچنین کلیه ی سل فهای موجود در این مدار از نوع سل فهای مارپیچی انتخاب شد هاند. این تقویت کننده می تواند حداکثر توان خروجی dBm20/9 را با بازدهی 53 % به بار 50 اهم تحویل دهد. همچنین بهره توان این تقویت کننده در فرکانس 2/4GHz برابر باdB 17/3است.

Keywords:

تقویت کننده توانDoherty بازدهی , بهره توان , مبدل ربع موج , سلف مارپیچی

Authors

مبین مهرشاد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • مثم حیدرپور روشن "طراحی تقویت‌کننده توان کلاس AB با توان ...
  • dBm CMOS RF 31.5+ A:ء [1] N. Wongkomet, L. Tee ...
  • P. R. Gray and R. Meyer, :Future directions of silicon ...
  • _ _ _ Rofougaran and P. Chang, _ future of ...
  • M. Zargari, M. Terrovitis, S. H. M. Jen, B. J. ...
  • L. H. Xie, L. Wei, L. Luong, J. Pan, S. ...
  • _ _ _ Koch, E. Labarre and C. Schwoerer, _ ...
  • C. Tongchoi, M. C h _ cheawchamnan and A. Worapishet, ...
  • M. K. KAZIM IERCZUK, _ Power Amplifiers, ; Wright State ...
  • K. F. Brand, _ Experimental Design and C haracterization of ...
  • Behzad Razavi, :RF Microelectronic S , ; University of California, ...
  • v. Saari, P. Juurakko, J. Ryynanen and K. Halonen: Integrated ...
  • _ _ _ _ _ Design in CMOS for Highly ...
  • C. Liu, T. Luo, Y. Emery Chen and D.Heo, :A ...
  • S. Oh, T. Song, E. Yoon and . Kim, _ ...
  • C OMPONENTS LETTERS, vOL. 16, NO. 4, APRIL 2006 ...
  • نمایش کامل مراجع