ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings
Login |Register |Help |عضویت کتابخانه ها
Paper
Title

بررسی اثر تغییر ضخامت اکسید گیت برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری

Year: 1391
COI: ICEE20_104
Language: PersianView: 859
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Buy and Download

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این Paper را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

Authors

نگین معنوی زاده - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
ابراهیم اصل سلیمانی - دانشکده فنی دانشگاه تهران
فرشید رئیسی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

Abstract:

هدف این مقاله بررسی عملکرد دیوداثرمیدانی اصلاح شده Modified-FED با تغییر ضخامت اکسیدگیت است ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET است با این تفاوت که سورس و درین آن از هر دو آلایش نوع pو n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است به منظوریافتن کمترین ضخامت موثراکسیدگیت این افزارها با ضخامت های اکسید 2و5و10 نانومتر شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراینم قاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان نوار هدایت توزیع پتانسیل الکترواستاتیک و پروفایل چگالی حاملها دردو حالت روشن و خاموش مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که درضخامت اکسید 2 نانومتر برای چنین ساختاری کنترل گیت ها برکانال بیشتر بوده بدون آنکه کاهش ضخامت برروی عملکرد افزاره تاثیر نامطلوب داشته باشد.

Keywords:

ضخامت اکسید گیت، ترانزیستورهای اثرمیدانی فلز - اکسید نیمه هادی MOSFET دیود اثرمیدانی FED

Paper COI Code

This Paper COI Code is ICEE20_104. Also You can use the following address to link to this article. This link is permanent and is used as an article registration confirmation in the Civilica reference:

https://civilica.com/doc/154317/

How to Cite to This Paper:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the resources section:
معنوی زاده، نگین و اصل سلیمانی، ابراهیم و رئیسی، فرشید،1391،بررسی اثر تغییر ضخامت اکسید گیت برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری،20th Iranian Conference on Electric Engineering،Tehran،،،https://civilica.com/doc/154317

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

  • "Intel first to to Demonstrate working 45nm chips, " http ...
  • D. J. Frank, R. H. Dennard, E. Nowak, P. M. ...
  • Y. Taur, :CMOS design near the limit of scaling, " ...
  • :Moore's Law Made real by Intel innovation, ; ...
  • Journal of Research _ Development, Vol. 46, pp. 235-244, 2O2. ...
  • J. P. Colonge, M. H. Gao, A. Romano- Rodriguez, H. ...
  • SOI MOSFET, ; Pi-Gate:ء [8] J. T. Park, J. P. ...
  • F. L. Yang, et al., "25nm CMOS Omega FETs, " ...
  • J. Kavalieros, B. Doyle, S.Datta, et. Al., "Tri-gate Transistor Architecture ...
  • J. P. Colinge, M. H. Gao, A. Romano, H. Maes, ...
  • F. Raissi and J. E. Nordman. "Josephson fluxonic diode, " ...
  • F. Raissi and I Sheikhian, "Nano-scale trainsistor device with _ ...
  • S. Cao, _ A. Salman, J. -H. Chun, S. G. ...
  • _ _ _ _ chanllenges and strategies in deeply-scaled interated ...
  • _ _ _ _ 1582-1586, 2009. ...
  • _ _ _ _ _ ISDRS 2009, College Park, MD, ...
  • F. Jazayeri, B. Forouzandeh and F. Raissi, "Low-power variable gain ...
  • F. Jazayeri, S. Sol eimani-Amori, B. Ebrahimi, B. Forouzandeh, _ ...
  • I. Sheikhian and F. Raissi, :Simulation results for nanoscale field ...
  • N. Manavizadeh, F. Raissi and E. As1-Soleimani, :Simulation and _ ...
  • _ _ _ _ _ performance, Proc. IUMRS-ICEM 2010, Seoul, ...
  • Research Info Management

    Certificate | Report | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این Paper را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    Scientometrics

    The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:
    Type of center: دانشگاه دولتی
    Paper count: 10,191
    In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    New Papers

    Share this page

    More information about COI

    COI stands for "CIVILICA Object Identifier". COI is the unique code assigned to articles of Iranian conferences and journals when indexing on the CIVILICA citation database.

    The COI is the national code of documents indexed in CIVILICA and is a unique and permanent code. it can always be cited and tracked and assumed as registration confirmation ID.

    Support