مقایسه آسیب پرتویی دیودهای BYV27,BYV95C به روش C-V

دراثر اندرکنشهای نوترون درقطعات الکترونیکی مشخصات الکتریکی آنها مانند ظرفیت خازنی جریان بایاس معکوس و طولعمر حامل اقلیت تغییر کرده و موجب اختلال درعملکرد قطعه می شود یکی ازروشهای متداول درتعیین پارامتر وابسته به آسیب استفاده از تکنیک C-V است مقادیر استخراج شده ازا ین روش دو پارامتر B,inv است که معیاری برای آسیب وارده برقطعه می باشد هدف ازانجام این کار اندازه گیری و مقایسه این پارامترها برای دیودها BYV27 و BYV95 است که تحت تابش راکتور تحقیقات تهران پرتودهی شده اند نتایج بدست آمده ح اکی ازانطباق بسیارخوب روابط تئوری با نتایج تجربی است درمقایسه با دودیود مذکور دیود BYV27 برای محیطهای تابشی مناسب تر است.

Keywords:

آسیب پرتویی , روش C-V , غلظت حاملهای موثر , پارامترB , پارامتر inv