بررسی اثرات خودگرمایی در افزاره هایAlGaN/GaN HEMT
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,214
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_552
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
در این مقاله تاثیر پدیده خودگرمایی بر مشخصه جریان ولتاژ افزاره - - AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است و مدارمعادلی برای مقاومت گرمایی کل این افزاره با در نظر گرفتن مقاومت گرمایی لایه منفعل ساز داده شده است. نتایج این بررسی نشان می دهد که میزان خودگرمایی افزاره به جنس ماده و ضخامت لایه منفعل ساز افزاره وابستگی زیادی دارد. دو نوع لایه منفعل ساز Si3N4 و SiO2 برای GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهند که استفاده از لایه منفعل ساز Si3N4 در مقایسه با SiO2 موجب کاهش 51 درصدی اثرات خودگرمایی می گردد. همچنین با انتخاب ضخامت مناسب لایه منفعل ساز اثر خودگرمایی کاهش می یابد
Keywords:
Authors
علی حق شناس
آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مرتضی فتحی پور
آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :