طراحی ضربکننده آنالوگ تمام CMOS ولتاژ پایین با توان مصرفی کم و رنج ورودی زیاد
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 974
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_577
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی مد ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهایCMOS بایاس شده در ناحیه اهمی و اشباع ارائه شده است. عمده پیشرفت این ضرب کننده کاهش توان مصرفی، افزایش رنج ورودی و افزایش پهنای باند میباشد. این ضرب کننده بصورت کاملاًCMOSپیادهسازی شده که با تکنولوژی دیجیتال سازگار میباشد. این مدار با تکنولوژی 0/18μm طراحی و با نرم افزارHspice و ولتاژ تغذیه 1/2 شبیه سازی شده است. نتایج شبیهسازی بیانگر کاهش توان مصرفی، کاهشTHD و زیاد بودن پهنای باند میباشد که این ساختار را برای کاربردهای مختلف در سیستمهای آنالوگ مناسب مینماید
Keywords:
طراحی توان پایین , ضرب کنندهCMOS مدارات ولتاژ پایین
Authors
علی رضائی
دانشگاه تفرش
مهدی جعفری پناه
دانشگاه تفرش
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :