بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون

استفاده از ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثر میدانی تونلی موجب کاهش شیب زیر آستانه می شود. در این مقاله با استفاده از ساختار پیشنهادی سه لایه ناهمگون ژرمانیوم-سیلیسیم-ژرمانیوم در ترانزیستور اثر میدانی تونلی علاوه بر کاهش شیب زیر آستانه جریان تونلی در ولتاژ گیت صفر به صفر رسیده و کنترل گیت بر جریان تونلی کانال افزایش یافته است.

Keywords:

ترانزیستور اثر میدانی تونلی , شیب زیر آستانه , پیوند ناهمگون , تونل زنی باند به باند

Authors

رامین نوری بیات

دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان

عبداله عباسی

استادیار دانشگاه سمنان

علی اصغر اروجی

استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان

Certificate
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

https://civilica.com/doc/1549592

شناسه ملی سند علمی:

AISC01_028

تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1401

How to Cite to This Paper:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the resources section:

نوری بیات، رامین و عباسی، عبداله و اروجی، علی اصغر،1401،بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون،The first conference on artificial intelligence and intelligent processing،Semnan،https://civilica.com/doc/1549592

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Semnan University09125320704

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 11,949

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.