بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون
عنوان مقاله: بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون
شناسه ملی مقاله: AISC01_028
منتشر شده در اولین کنفرانس هوش مصنوعی و پردازش هوشمند در سال 1401
شناسه ملی مقاله: AISC01_028
منتشر شده در اولین کنفرانس هوش مصنوعی و پردازش هوشمند در سال 1401
مشخصات نویسندگان مقاله:
رامین نوری بیات - دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
عبداله عباسی - استادیار دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی - استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
خلاصه مقاله:
رامین نوری بیات - دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
عبداله عباسی - استادیار دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی - استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
استفاده از ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثر میدانی تونلی موجب کاهش شیب زیر آستانه می شود. در این مقاله با استفاده از ساختار پیشنهادی سه لایه ناهمگون ژرمانیوم-سیلیسیم-ژرمانیوم در ترانزیستور اثر میدانی تونلی علاوه بر کاهش شیب زیر آستانه جریان تونلی در ولتاژ گیت صفر به صفر رسیده و کنترل گیت بر جریان تونلی کانال افزایش یافته است.
کلمات کلیدی: ترانزیستور اثر میدانی تونلی، شیب زیر آستانه، پیوند ناهمگون، تونل زنی باند به باند
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1549592/