بهبود ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو با جاسازی ناحیه بدون ناخالصی و استفاده از ماده نیترید سیلیسیم در ناحیه مدفون برای بهبود اثر خود گرمایی

Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 100

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AISC01_033

تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1401

Abstract:

این مقاله، طرح نوینی برای ساختار ترانزیستورهای ماسفت در مقیاس نانو در فناوری سیلیسیم روی عایق به منظور راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می نماید. ایده اصلی در ارائه این ساختار جدید، استفاده از ماده نیترید سیلیسیم است که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم می باشد و نیز به کمک شبیه سازی دو بعدی اتلس، عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.

Authors

محمد هلالی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه سمنان

علی اصفر اروجی

استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان