اثر اکسید گالیوم بر ریز ساختار و نظم شبکه ای سرامیک Ba(Zn1/3Ta2/3)O3
Publish place: 02nd joint conference of Iranian Metallurgical Engineers Society and Iranian Foundry men
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,166
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES02_328
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1391
Abstract:
سرامیکهای بر پایه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 یک گروه مهم از سرامیکهائی هستند که بعنوان رزناتورهای دی الکتریک در سیستمهای مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو مانند آنتن های تلفن های همراه بکار می روند. ترکیب Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 بدون استفاده از کمک زینتر دانسیته ای حدوداً 51 درصد دانسیته تئوری در دمای زینتر °C1530 از خود نشان می دهد. با افزودن Ga2O3 به میزان 6/0 درصد وزنی دانسیته نسبی به بالاتر از حدود 97 درصد افزایش یافت. این افزایش بدلیل پیدایش فاز دومی است که اکسید گالیوم باعث بوجود آمدن آن میگردد. Ga همچنین علاوه بر حضور در فاز دوم، وارد شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 نیز گردید. بررسی اثر Ga بر نظم شبکه ای توسط پراش اشعه X بدلیل ضعیف بودن پیکهای مربوط به سوپر ساختار میسّر نبود، به این دلیل از تکنیک SAD 1 در TEM 2 بدین منظور استفاده شد. این مطالعات نشان داد که حضور Ga در شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 تغییری در نوع نظم (نظم 1:2) ایجاد نمی کند ولی با اینحال باعث تضعیف آن می گردد.
Authors
کیوان اسدیان
استادیار، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، مشکین دشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :