تاثیر PH بر روی لایه نشانی الکتروشیمیایی لایه های نازکنیکل روی (111) Si+n
Publish place: The fourth joint conference of the Association of Metallurgical Engineers and the Iranian Foundry Association
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 631
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES04_433
تاریخ نمایه سازی: 22 مرداد 1391
Abstract:
رسوب دهی لایه های نازکدر طول یکقرن گذشته موضوع بسیاری از تحقیقات و مطالعات بوده است. کنترل دقیق روی نشست الکتروشیمیایی نیازمند داشتن اطلاعات کافی در مورد جوانه زنی و رشد لایه هایی است که می توانند بوسیله تکتینک های لایه نشانی مطالعه شوند. در این تحقیق، ما تأثیر PH را بر روی جوانه زنی و رشد نیکل از حمام های وات با PH مختلف بر روی (111) Si+n مورد مطالعه قرار داده ایم. نتایج ولتامتری سیکلی و جریان گذرا ثبت شده در طی لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل روی (111) Si+n برای ارزیای نشست الکتروشیمیایی نیکل استفاده شده است. نتایج نشان دادند که نیکل از پتانسیل اسمی 0.7V- شروع به رشد بر روی (111) Si+n می کند. با افزایش سرعت جاروب، منحنی های ولتامتری سیکلی باعث انتقال پیک های احیای نیکل به سمت مقادیر منفی تر می شوند. نتایج نشان دادند که با کاهش PH، جوانه زنی با سرعت بیشتری صورت گرفته، در نتیجه جوانه های ریز کمتر از 100nm بدست آمده است. ما منحنی های بدون بعد را برطبق تئوری شریفکر- هیلز رسم کرده ایم و یک مکانیزم جوانه زنی و رشد آنی برای نیکل بر روی (111) Si+n بر اساس شرایط این آزمایش برآورد کرده ایم.
Keywords:
Authors
سید مهدی جان جان
عضو باشگاه پژوهشگران جوان واحد ابهر ، دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
فرزاد نصیرپوری
استادیار، دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی سهند تبریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :