تحرک پذیری و ویژگی های ترموالکتریکی دیامان های نیمه هادی
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 22، Issue: 1
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 147
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-22-1_019
تاریخ نمایه سازی: 17 دی 1401
Abstract:
در این مقاله تحرک پذیری و خواص ترموالکتریکی دیامان های ( Cl و F و C۲X (X= H با استفاده از نظریه تابعی چگالی و بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو و بولتزراپ مطالعه میشود. در تمامی ساختارهای ( Cl و F و C۲X (X=H تحرک پذیری حفره ها کوچک تر از تحرک پذیری الکترونها است. این امر ناشی از شکل ساختار نواری هر ساختار است. برای ساختارهای C۲H، C۲F و C۲Cl با آلایش نوع p بیشینه ضریب سیبک به ترتیب برابر است با µV/K ۲۷۳۳، ۲۸۱۱ و ۲۲۰۱ و برای آلایش نوع n، بیشینه ضریب سیبک مواد فوق به ترتیب ۲۷۶۷،- ۲۶۹۶- و ۲۲۶۹- µV/K است. در تمامی ساختارها پارامترهای ترموالکتریکی از جمله رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی و ضریب توان در مقادیر مثبت پتانسیل شیمیایی بیشینه هستند. در نتیجه این مواد با آلایش نوع n می توانند مواد ترموالکتریکی مناسب تری باشند. همچنین هر سه ساختار در بازه دمایی ۲۰۰-۵۰۰ کلوین بیشینه ضریب توان را دارند.
Keywords:
Authors
سمیه احمدی سلطانسرائئ
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :