سمیه احمدی سلطانسرائئ - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین

در این مقاله تحرک پذیری و خواص ترموالکتریکی دیامان های  ( Cl و F و C۲X (X= H با استفاده از نظریه تابعی چگالی و بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو و بولتزراپ مطالعه می­شود. در تمامی ساختارهای ( Cl و F و C۲X (X=H تحرک پذیری حفره ها کوچک تر از تحرک پذیری الکترون­ها است. این امر ناشی از شکل ساختار نواری هر ساختار است. برای ساختارهای  C۲H، C۲F و C۲Cl با آلایش نوع p بیشینه ضریب سیبک به ترتیب برابر است با µV/K ۲۷۳۳، ۲۸۱۱ و ۲۲۰۱ و برای آلایش نوع n، بیشینه ضریب سیبک مواد فوق به ترتیب  ۲۷۶۷،- ۲۶۹۶- و ۲۲۶۹- µV/K است. در تمامی ساختارها پارامترهای ترموالکتریکی از جمله رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی و ضریب توان در مقادیر مثبت پتانسیل شیمیایی بیشینه هستند. در نتیجه این مواد با آلایش نوع n می توانند مواد ترموالکتریکی مناسب تری باشند. همچنین هر سه ساختار در بازه دمایی ۲۰۰-۵۰۰ کلوین بیشینه ضریب توان را دارند.

تحرک پذیری, ترموالکتریک, رسانندگی الکتریکی, رسانندگی گرمایی, ضریب سیبک, نظریه تابعی چگالی