فرشته حاج اسماعیل بیگی - پژوهشکده فوتونیک و فن آوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، صندوق پستی: ۸۳۶-۱۴۳۹۵، تهران – ایران
افتخار سادات بستان دوست - پژوهشکده فوتونیک و فن آوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، صندوق پستی: ۸۳۶-۱۴۳۹۵، تهران – ایران
اسما سادات معتمدی - پژوهشکده فوتونیک و فن آوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، صندوق پستی: ۸۳۶-۱۴۳۹۵، تهران – ایران
حسین رزاقی - پژوهشکده فوتونیک و فن آوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، صندوق پستی: ۸۳۶-۱۴۳۹۵، تهران – ایران

در این پژوهش تقویت باریکه لیزر تپی فمتوثانیه Ti:sapphire در تقویت ­کننده بازتولیدی با آرایش هندسی Z براساس روش تقویت تپ چیرپ بررسی شده است. برای انتقال تپ ورودی اولیه به داخل کاواک تقویت ­کننده و استخراج تپ تقویت شده از دو سلول پاکل استفاده شده است. زمان شکل گیری تپ تقویت شده برحسب انرژی لیزر دمش مطالعه و روند تحول تپ در داخل کاواک تقویت ­کننده مورد بررسی قرار گرفته است. مدت زمان تپ تولید شده در داخل کاواک بدون حضور تپ ورودی اولیه ۸۰ نانوثانیه و فرایند شکل گیری تپ تقویت شده ۳۸ نانوثانیه است. باریکه لیزر تپی فمتوثانیه تقویت شده با نرخ تکرار ۱۰ هرتز در طول موج مرکزی ۸۰۰ نانومتر با بیشینه انرژی ۲ میلی ژول بعد از ۱۷ رفت و برگشت در داخل کاواک تقویت ­کننده بازتولیدی با استفاده از انرژی دمش ۱۵ میلی ژول در طول موج ۵۳۲ نانومتر تولید شده است. طول موج باریکه لیزر تقویت شده ۸۰۰ نانومتر با پهنای بینابی ۳۰ نانومتر است که نسبت به باریکه لیزر تشدیدگر ۳۰ نانومتر باریک تر شده است. کارایی تقویت نسبت به انرژی دمش برابر ۱۳ درصد و ضریب تقویت در این آرایش برابر با ۱۰۶ به دست آمده است.

لیزر, فمتوثانیه, تقویت کننده بازتولیدی, تیتانیوم سافیر