نسرین معصومی فرد - گروه برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران
علی تجویدی - گروه برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران

در این مقاله، یک یکسوکننده با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۱۸۰ نانومتر با تکنیک پیزو طراحی و نتایج آن بررسی شد. تمام نتایج گزارششده در این مقاله، از طریق نرمافزار ADS صورت گرفته است. در این راستا، یک مبدل یکسوکننده RF-DC با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۱۸۰ نانومتر با تکنیک پیزو طراحی شد. یکسوسازهای مسیر توان پایین و توان بالا، به ترتیب، از ترانزیستورهای ولتاژ آستانه پایین و ترانزیستورهای ولتاژ آستانه بالا تشکیل شدهاند. یکسوسازهای مسیر توان پایین، امپدانس ورودی پایینتری نسبت به یکسوسازهای مسیر توان بالا دارند و هنگامی که توان ورودی افزایش مییابد، یکسوساز مسیر توان بالا توان بیشتری را برداشت میکند و هنگامی که توان ورودی پایین یعنی مسیر توان پایین فعال است، توان بیشتری برداشت میشود و ولتاژ نسبتا بالاتری در مقایسه با ولتاژ خروجی یکسوساز مسیر توان بالا تولید میکند که جبرانساز این دو ولتاژ را با یکدیگر مقایسه نموده و ولتاژ خروجی پایینی تولید می کند.

مدل یکسوکننده RF-DC ، جبرانازی ولتاژ، پیزوالکتریک، دیکسون