نسرین معصومی فرد - گروه برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران
علی تجویدی - گروه برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران

در این مقاله، یک یکسوکننده با استفاده از ترانزیستور CMOS ، با طول کانال ۱۸۰ نانومتر با تکنیک پیزو طراحی و نتایج آن بررسی شد. تمام نتایج گزارششده از طریق نرمافزار ADS صورت گرفته است. ساختار مبدل RF-DC و معماری یکسوساز همراه با طرح کلیدزنی و ضرب کننده ولتاژ دیکسون دیفرانسیل مبتنی بر المان پیزو الکترک طراحی و شبیه سازی شد. مبدل RF-DC پیشنهادی مبتنی بر المان پیزوالکتریک می باشد. عنصر پیزو الکتریک توانسته علاوه بر بهبود توان خروجی دامنه ولتاژ خروجی را نیز افزایش دهد. همچنین یکی از مشکلات شبیه سازی این نوع یکسوکننده داشتن دو مدل ترانزیستور می باشد و از آنجا که هرنوع ترانزیستور پارامترهای مخصوص بخود دارد بدست آوردن نتایج بهینه دشوار می باشد.

ولتاژ آستانه، جبرانسازی، یکسوکننده دیکسون، پیزوالکتریک