سمانه جعفرپور - دانشجو، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
زهرا عبدی رحمانی - دانشجو، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
حمید نقش آرا - استاد، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
مجتبی پرهیزکار - استاد، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

اکسید تنگستن به دلیل کاربرد در ساخت دستگاه های اپتوالکترونیک مورد توجه محققان قرار گرفته است. دراین مطالعه، ویژگی های ساختاری. سطحی و نوری لایه های نازک اکسید تنگستن تهیه شده با روش کندوپاشمگنترونی واکنشی بررسی شده است. نمونه های با درصدهای مختلف گاز واکنشی اکسیژن. تحت شرایط فشار((۲-)۲x۱۰ میلی بار) و توان (۲۰ وات) ثابت بر روی زیرلایه های شیشه ای و کوارتزی لایه نشانی شدند. طرح هایپراکندگی اشعه ایکس (XRD) نشان می دهد که همه ی نمونه های تهیه شده در دمای اتاق. آمورف هستند.مورفولوژی سطح لابه ها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ نیرویاتمی (AFM) بررسی شد. تصاویر SEM نشان می دهد که همه ی لابه های تهیه شده با درصدهای مختلفاکسیژن. مورفولوژی سطح بکنواخت و بدون ساختار دانه ای دارند. آنالیز تصاوبر AFM نشان می دهد کهلایه های بسیار صاف با متوسط زبری سطح کمتر از یک نانومتر تهیه شده اند و با افزایش درصد اکسیژن. زبریسطح لایه ها کاهش می بابد. برای به دست آوردن عبور نوری نمونه ها از طیف سنجی فرابنفش-مرتی (UV-Vis) استفاده شد. با افزایش درصد گاز اکسیژن, لایه های اکسیدی شفاف با متوسط عبور نوری بالا تبهیه شدهاست. لایه ی تهیه شده با کمترین درصد اکسیژن (۵%)، به فاز فلزی نزدیکتر بوده که دارای بیشترین زبریسطح (۰/۶۴۷ نانومتر). کمترین عبور نوری (۴۰/᷉ ) و انرژی گاف نواری (۲/۶۸ الکترون ولت) است. مقدارگازواکنشی اکسیژن در محدوده ی ۱۰%-۲۵% منجر به شکل گیری لایه های اکسیدی می شود و انرژی گاف نواریآن ها با افزایش درصد اکسیژن. روند کاهشی دارد.

اکسید تنگستن. کندوپاش مگنترونی، ویژگی های ساختاری و سطحی، انرژی گاف نواری