ارائه مدل فیزیکی اداوات نیمه هادی الکترونیک قدرت سیلیکون کاربید جهت کنترل افت ولتاژ بایاس مستقیم و ولتاژ شکست معکوس

در اینجا یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن نشان می دهیم که راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود که یک مدل یک ب عدی کامل برای محاسبه حداقل عرض لایه تخلیه برای بدست آوردن شکست یک ساختار p+n-n+ به کار بردیم . محاسبه عرض بهینه لایه تخلیه در ولتاژهای انسداد مختلف به منظور دستیابی به حداقل افت مستقیم قرار میگیرد که محاسبه ضخامت های ناحیه رانش دارای ناخالصی کم و ولتاژ شکست مرتبط با آن و افت ولتاژهای مستقیم ، ولتاژ بالایی به ساختارp+n-n+ اعمال می گردد.

Keywords:

ترانزیستور پیوند دوقطبی سیلیکون کاربید , مدلسازی نیمه هادی قدرت , معادلهADE , ناحیه رانش