وحید صادقی دنیانی - دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد بوشهر، گروه مهندسی برق، بوشهر، ایران،
محسن معصومی - دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد جهرم، گروه مهندسی برق، جهرم، ایران
محمدنادر کاکایی - دانشگاه ازاد اسلامی ، واحد بوشهر ،گروه مهندسی برق، بوشهر، ایران

در اینجا یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن نشان می دهیم که راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود که یک مدل یک ب عدی کامل برای محاسبه حداقل عرض لایه تخلیه برای بدست آوردن شکست یک ساختار p+n-n+ به کار بردیم . محاسبه عرض بهینه لایه تخلیه در ولتاژهای انسداد مختلف به منظور دستیابی به حداقل افت مستقیم قرار میگیرد که محاسبه ضخامت های ناحیه رانش دارای ناخالصی کم و ولتاژ شکست مرتبط با آن و افت ولتاژهای مستقیم ، ولتاژ بالایی به ساختارp+n-n+ اعمال می گردد.

ترانزیستور پیوند دوقطبی سیلیکون کاربید، مدلسازی نیمه هادی قدرت ، معادلهADE ، ناحیه رانش