بهبود عملکرد ضد خوردگی آلیاژ ۳۲۱ با استفاده از پوشش های نانوکامپوزیتی Nb(x)Si(y)C تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی غیرتعادلی

Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 131

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IMES16_126

تاریخ نمایه سازی: 25 اسفند 1401

Abstract:

امروزه پوشش دهی تجهیزات صنعتی, به عنوان یکی از بهترین روش های افزایش طول عمر و کارایی آنهاء مورد توجه بسیاری از صنعتگران ومحققان قرار گرفته است. در دهه های اخیر پوشش های چند جزتی پایه کربنی به دلیل مقاومت در برابر سایش عالی. عملکرد خوب در برابرخوردگی و ... به طور گسترده به عنوان پوشش های محافظ مورد استفاده قرار گرفته اند. در این مطالعه پوشش های سه جزئی NbSiC بامقادیر مختلف Si، با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی غیر تعادلی واکنشی جهت بهبود خاصیت آبگریزی و عملکرد ضد خوردگی آلیازاستیل ۳۲۱، بر روی این بستر رسوب دهی شده و مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج حاصل شده نشان داد که لایه نشانی این پوشش هاء بشدتآبگریزی بستر آلیاژی را افزایش داده و عملکرد ضد خوردگی آن را به میزان قابل توجهی بهبود بخشیده است. با این حال مشاهدات ثابت کردکه افزایش مقدار Si در ساختار پوشش های NbSiC منجر به افزایش هر چه بیشتر خاصیت آبگریزی و حفاظت در برابر خوردگی آنها شدهاست. به طوری که پوشش NbSiC-۴ با بیشترین مقدار Si (۱۵.۴ درصد وزنی) بالاترین میزان آبگریزی (بالاترین زاویه تماس ۱۲۱.۶˚) وکمترین چگالی جربان خوردگی را نشان داد ((۸-)۱.۰۸x۱۰) آمپرسانتیمتر مربع)، که نشان دهنده عملکرد عالی آن در برابر خوردگی می باشد.

Keywords:

کندوپاش مغناطیسی غیر تعادل , آلیاژ ۰۳۲۱ پوشش های سه جزئی NbSiC , خاصیت آبگریزی , عملکرد ضد خوردگی

Authors

علی شریفی

دانشجوی دکترا، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران

سارا خمسه

دانشیار، گروه پژوهشی نانو فناوری رنگ، پژوهشکده پوشش های سطح و فناوری های نوین، پژوهشگاه رنگ، تهران، ایران

امیرسعید شیرانی

دانشیار، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران

بهرام رمضان زاده

دانشیار، گروه پژوهشی روکش های سطح و خوردگی، پژوهشکده پوشش های سطح و فناوری های نوین، پژوهشگاه رنگ، تهران، ایران