امیر هوشنگ رمضانی - In the present study, effect of interfacial roughness on the ion implanted Tantalum based surfaces has been investigated. The argon ions with energy of ۳۰ keV and in doses of ۱×〖۱۰〗^۱۷, ۳×〖۱۰〗^۱۷, ۵×〖۱۰〗^۱۷, ۷×〖۱۰〗^۱۷, and ۱۰×〖۱۰〗^۱۷ (ion/cm۲) have been u
سمیه عسگری - In the present study, effect of interfacial roughness on the ion implanted Tantalum based surfaces has been investigated. The argon ions with energy of ۳۰ keV and in doses of ۱×〖۱۰〗^۱۷, ۳×〖۱۰〗^۱۷, ۵×〖۱۰〗^۱۷, ۷×〖۱۰〗^۱۷, and ۱۰×〖۱۰〗^۱۷ (ion/cm۲) have been u
ژاله ابراهیمی نژاد - In the present study, effect of interfacial roughness on the ion implanted Tantalum based surfaces has been investigated. The argon ions with energy of ۳۰ keV and in doses of ۱×〖۱۰〗^۱۷, ۳×〖۱۰〗^۱۷, ۵×〖۱۰〗^۱۷, ۷×〖۱۰〗^۱۷, and ۱۰×〖۱۰〗^۱۷ (ion/cm۲) have been u

در مطالعه حاضر، اثر ناهمواری فصول مشترکی که در اثر کاشت یونی بر روی سطوح پایه تانتالوم تولید شده اند بررسی شده است. یون های آرگون با انرژی   ۳۰ کیلو الکترون  ولت و در دزهای۱۰۱۷×۱ تا و ۱۰۱۷×۱۰ (یون بر سانتی متر مربع) استفاده شده است. میکروسکوپ نیروی اتمی برای توصیف ریخت شناسی سطح  استفاده شده است . تاثیر ناهمواری لایه های نازک تولید شده از طریق کاشت یونی، هدف از تحقیق میزان احتمال انتقال الکترونی در تانتالوم است. با بمباران یون آرگون تغییر قابل توجهی در  نمونه ها رخ می­دهد از جمله ناهمواری، اندازه دانه، توزیع آن برای نمونه کاشته نشده و نمونه های کاشته شده .سهم اجزای پراکنده احتمال انتقال نمونه هایی که با دزهای پایین تر یون کاشته شده اند، غالب تر از موارد کاشته شده توسط دزهای بزرگ تر است. همچنین بر اساس نتایج با افزایش دز یونی، چگالی جریان لایه های نازک افزایش می یابد. یکی از اثرات اصلی ناهمواری، کاهش احتمال عبور  است. نتایج نشان می­دهد که میزان پراکندگی به واسطه فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون آرگون بیشتر است. به علاوه محاسبات چگالی جریان نتایج مذکور را تایید نموده و میزان چگالی جریان مولفه­های پراکنده شده فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون کمتر است.

Argon ion, Tantalum, AFM, Roughness, transmission, current, آرگون, تانتالم, ترابردی, فصل مشترک ناهموار